Transphorm demonstriert bidirektionale SuperGaN-Stromversorgung mit neuem Referenzdesign für die Märkte Elektromobilität und Energie/Industrie
2024年6月12日 - 12:55AM
ビジネスワイヤ(英語)
300-W-DC-Batterielade-Board verdeutlicht die
entscheidenden Fähigkeiten der GaN-Technologie, die für die
Weiterentwicklung von Anwendungen im Bereich der Elektromobilität
erforderlich sind
Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), der weltweit führende Anbieter
von robusten GaN-Leistungshalbleitern, kündigte heute die Freigabe
eines neuen 300-W-DC-to-DC-GaN-Referenzdesigns für
Batterieladegeräte von 2- und 3-rädrigen Elektrofahrzeugen an. Im
TDDCDC-TPH-IN-BI-LLC-300W-RD werden 150-mOhm-SuperGaN®-FETs vom Typ
TP65H150G4PS in einem robusten TO-220-Gehäuse zur Versorgung eines
hochleistungsfähigen und hocheffizienten Systems zur
Energiegewinnung und -verteilung sowie zum Laden von Batterien
verwendet. Das neue Board verdeutlicht einen der am meisten
erwarteten Wertversprechen einer GaN-Stromversorgung:
Bidirektionalität. Diese Fähigkeit bedeutet, dass ein
einziges Stromversorgungssystem je nach Bedarf des Systems Strom in
zwei Richtungen liefern kann, und zwar vom Eingang (Wechselstrom)
zum Ausgang (Gleichstrom) und vom Ausgang (Gleichstrom) zum Eingang
(Wechselstrom), wobei GaN in beiden Konversionsrichtungen für hohe
Energieeffizienz sorgt.
“Das erste Wertversprechen von GaN in Hochleistungsanwendungen
wurde durch den hocheffizienten Betrieb der brückenlosen
Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrekturschaltung erfüllt. Dies führte
dann zu weiteren Vorteilen in einer Vielzahl von Topologien,
darunter insgesamt kleinere und kostengünstigere
Stromversorgungssysteme für das gesamte
Leistungskonversionsspektrum von 30 Watt bis über 10 Kilowatt”,
sagte Primit Parikh, President und CEO von Transphorm. “Um die
führende Rolle der GaN-Technologie von Transphorm in Anwendungen
mit h�heren Leistungen fortzusetzen, haben wir jetzt eine
bidirektionale Leistungskonversion vorgestellt, die von
Fahrzeug-Ladegeräten für E-Mobilität, für Systeme mit erneuerbaren
Energien und Notstromversorgungen sowie für andere
Stromversorgungsanwendungen genutzt werden kann, die
hochintegrierte, austauschbare Ein- und Ausgangsterminals
erfordern.”
Bidirektionalität ist eine Kernfunktionalität, die erforderlich
ist, um die V2X-Infrastruktur (Vehicle-to-Everything) für
E-Mobilitätsanwendungen voranzubringen, zu denen V2L-
(Vehicle-to-Load), V2H- (Vehicle-to-House) und V2G-Szenarien
(Vehicle-to-Grid) geh�ren. Die Prognosen für das gesamte
Marktvolumen von V2X-Systemen reichen von konservativen 9 Mrd.
USD-Dollar bis zu aggressiven 70 Mrd. USD-Dollar bis 2030.
In Elektrofahrzeugsystemen, Systemen für erneuerbare Energien
und anderen Anwendungen im Rahmen des V2X-Modells werden Design-
und Leistungsflexibilität entscheidend für Innovationen und eine
verbreitete Einführung sein. Die hohe Leistungsdichte und die
Bidirektionalität sind wichtige Voraussetzungen für diesen Bereich.
Die V2X-Anwendungen sind die wichtigsten Anwendungsfälle, bei denen
das überlegene Wertversprechen der SuperGaN-Technologie voll
ausgesch�pft werden kann. Dieses neue Referenzdesign ist ein
spannendes Beispiel dafür, was in einer Zukunft mit
SuperGaN-Technologie alles m�glich ist.
TDDCDC-TPH-IN-BI-LLC-300W-RD: Spezifikationen zum
Referenzdesign
Das TDDCDC-TPH-IN-BI-LLC-300W-RD-Board ist eine rein analoge
Implementierung ohne komplexe Firmware-Entwicklung für die
Leistungsstufe. Diese Designkonfiguration erm�glicht eine
einfachere und schnellere Entwicklung von
Stromversorgungssystemen.
Highlights der Spezifikationen:
Topologie
LLC-Vollbrücke
Konvektionskühlung
Natürliche Konvektion ohne
Zwangsbelüftung
Ausgangsleistung
300 W
Ausgangsspannung
48 V/6 A, 380 V/0,9 A
Maximaler Wirkungsgrad
97,3%
Leistungsdichte
36,5 W/in3
Zielanwendungen und Verfügbarkeit
Das TDDCDC-TPH-IN-BI-LLC-300W-RD-Board eignet sich ideal für
Hochleistungsanwendungen wie z.B. die DC/DC-Leistungsstufe von
bidirektionalen DC/AC-Wechselrichter-Stromversorgungen, die in
Energiegewinnungs-Anwendungen mit Solar-, Batterie- und/oder
netzgekoppelten L�sungen eingesetzt werden, sowie für
AC/DC-Stromversorgungen, die in Ladegeräten für 2-, 3- und
4-Rad-Fahrzeuge verwendet werden.
Der Design-Leitfaden und die Stückliste stehen hier zum Download
bereit:
https://www.transphormusa.com/en/reference-design/tddcdc-tph-in-bi-llc-300w-rd/.
Über Transphorm
Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der
GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und
hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler.
Mit einem der gr�ßten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000
eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die
branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten
Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauteile. Das Geschäftsmodell des
Unternehmens für vertikal integrierte Geräte f�rdert Innovationen
in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte-
und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm
bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium
hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine um 50 %
h�here Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm
hat seinen Hauptsitz in Goleta, US-Bundesstaat Kalifornien, und
betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere
Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com. Folgen Sie uns
auch auf Twitter @transphormusa und WeChat unter
Transphorm_GaN.
Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene
Handelsmarke von Transphorm, Inc. Alle anderen Handelsmarken sind
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wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen
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Pressekontakt: Heather Ailara +1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com
Transphorm (NASDAQ:TGAN)
過去 株価チャート
から 5 2024 まで 6 2024
Transphorm (NASDAQ:TGAN)
過去 株価チャート
から 6 2023 まで 6 2024