Infineon und Panasonic vereinbaren Dual Sourcing für selbstsperrende 600-V-GaN-Leistungsbausteine

Die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) und die Panasonic Corporation (TSE: 6752) haben eine Vereinbarung zur gemeinsamen Entwicklung von Galliumnitrid-(GaN)-Bausteinen unterzeichnet. Diese basieren auf der selbstsperrenden GaN-auf-Silizium-Transistorstruktur von Panasonic, die in ein oberflächenmontierbares (SMD)-Gehäuse von Infineon integriert wird. In diesem Zusammenhang hat

Panasonic eine Lizenz für die selbstsperrende GaN-Transistorstruktur an Infineon vergeben. Beiden Unternehmen k�nnen nun auf Grundlage der Vereinbarung hochleistungsfähige GaN-Bausteine herstellen. Kunden profitieren damit von zwei m�glichen Lieferquellen für GaN-Leistungsschalter in einem kompatiblen Gehäuse: eine M�glichkeit, die es bislang für keinen anderen GaN-on-Silicon-Baustein gab. Die Partner haben sich darauf verständigt, keine weiteren Vertragsdetails zu ver�ffentlichen. Muster eines 600 V 70 mΩ-Bausteins in einem DSO-(Dual Small Outline)-Gehäuse werden die Unternehmen erstmalig auf der Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC) vorstellen, die vom 15. bis 19. März 2015 in Charlotte, North Carolina, USA, stattfindet.

GaN-on-Silicon findet in der Fachwelt gr�ßte Beachtung als eine der nächsten Verbindungshalbleitertechnologien, die einerseits eine hohe Leistungsdichte und deshalb kleinere Montageflächen beispielsweise für Stromversorgungen und Adapter erm�glicht. Andererseits dient sie als wesentlicher Schlüssel zur Verbesserung der Energieeffizienz. Auf der GaN-on-Silicon-Technologie basierende Leistungshalbleiter k�nnen generell in einem breiten Anwendungsspektrum eingesetzt werden: von industriellen Hochvolt-Anwendungen wie Stromversorgungen in Serverfarmen (ein potenzielles Einsatzgebiet des ausgestellten 600-V-GaN-Bausteins) bis hin zu Niederspannungs-Applikationen wie die DC-DC-Umwand-lung in High-end Verbrauchsgütern. Einem Marktforschungsbericht von IHS zufolge wird der Markt für auf GaN-on-Silicon basierende Leistungshalbleiter voraussichtlich mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von mehr als 50% ansteigen. Das Volumen, das 2014 laut IHS bei 15 Millionen USD lag, würde damit bis zum Jahre 2023 auf 800 Millionen USD zulegen.

“Es ist unser Anspruch, die Kunden von Infineon mit einem branchenführenden Produkt- und Technologie-Portfolio zu versorgen. Das schließt zuverlässige Leistungshalbleiter auf Galliumnitrid-Basis ein. Mit dem selbstsperrenden GaN-on-Silicon-Schalter in Verbindung mit dem dazugeh�rigen Treiber und einer optimierten Ansteuerschaltung k�nnen wir ihnen einen hohen Mehrwert liefern. Und unser Dual-Sourcing-Konzept hilft unseren Kunden zusätzlich dabei, Versorgungsketten zu managen und zu stabilisieren”, stellte Andreas Urschitz fest, Leiter des Geschäftsbereichs Power Management & Multimarket der Infineon Technologies AG.

“Panasonic konnte die selbstsperrende GaN-Leistungstechnologie, die sich durch eine einfache Konfiguration und leicht zu regelnde Dynamik auszeichnet, aufgrund der Erfahrung im Bereich der Verbindungshalbleiter entwickeln. Mit der Lizenzvergabe der selbstsperrenden GaN-Transistorstruktur an Infineon erwarten wir eine schnellere Verbreitung von GaN-Leistungshalbleitern. Mit der innovativen Weiterentwicklung unserer selbstsperrenden GaN-Technologie werden wir kontinuierlich zu L�sungen von verbraucherspezifischen Anforderungen beitragen”, sagte Toru Nishida, President of Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleitern. Produkte und Systeml�sungen von Infineon helfen bei der Bewältigung von drei zentralen Herausforderungen der modernen Gesellschaft: Energieeffizienz, Mobilität und Sicherheit. Mit weltweit rund 29.800 Beschäftigten erzielte das Unternehmen im Geschäftsjahr 2014 (Ende September) einen Umsatz von 4,3 Milliarden Euro. Im Januar 2015 übernahm Infineon den US-Konzern International Rectifier Corporation, führend in Technologien für Power Management, mit einem Umsatz von 1,1 Milliarden US-Dollar (Geschäftsjahr 2014, per 29. Juni) und rund 4.200 Beschäftigten.

Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

Weitere Informationen erhalten Sie unter www.infineon.comDiese Presseinformationen finden Sie online unter www.infineon.com/presse

Über Panasonic

Die Panasonic Corporation geh�rt zu den weltweit führenden Unternehmen in der Entwicklung und Produktion elektronischer Technologien und L�sungen für Kunden in den Geschäftsfeldern Residential, Non-Residential, Mobility und Personal Applications. Seit der Gründung im Jahr 1918 expandierte Panasonic weltweit und unterhält inzwischen über 500 Konzernunternehmen auf der ganzen Welt. Im abgelaufenen Geschäftsjahr (Ende 31. März 2014) erzielte das Unternehmen einen konsolidierten Netto-Umsatz von 7,74 Billionen Yen/57,74 Milliarden EUR. Panasonic hat den Anspruch, durch Innovationen über die Grenzen der einzelnen Geschäftsfelder hinweg Mehrwerte für den Alltag und die Umwelt seiner Kunden zu schaffen. Weitere Informationen über das Unternehmen sowie die Marke Panasonic finden Sie unter www.panasonic.net.

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Infineon Technologies (QX) (USOTC:IFNNY)
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