トランスフォームとウェルトレンド・セミコンダクター、新型の統合型GaNシステムインパッケージをリリース

SuperGaNベースのSiPファミリーは3つのデバイスとなり、より幅広い次世代アダプタおよび充電器の電力レベルをサポート

（ビジネスワイヤ） -- 堅牢型窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の世界的リーダーであるトランスフォーム（Nasdaq: TGAN）と、アダプターUSBパワーデリバリー（PD）コントローラ集積回路（IC）で世界をリードするウェルトレンド・セミコンダクター（TWSE: 2436）は、2つの新型GaNシステムインパッケージ（SiP）の発売開始を発表しました。新型デバイスは、昨年発表されたウェルトレンドのフラッグシップモデルのGaN SiPと組み合わせることで、トランスフォームのSuperGaN®プラットフォームをベースとする初のSiP製品ファミリーとなります。

新型SiP（WT7162RHUG24BおよびWT7162RHUG24C）は、ウェルトレンドの高周波マルチモード（QR/バレースイッチング）フライバックPWMコントローラと、それぞれトランスフォームの150 mΩおよび480 mΩ SuperGaN FETを統合しています。 240 mΩの前モデル（WT7162RHUG24A）と同様、本デバイスはUSB PDまたはプログラマブル電源アダプタコントローラと組み合わせることで、総合的なアダプタソリューションとなります。特に、UHVバレー追跡充電モード、適応型OCP補償、適応型グリーンモード�御などのいくつかの革新的な機能も提供し、顧客は最もシンプルな設計アプローチを使用しつつ、より少ないコンポーネントで高品質の電源をより迅速に設計することができます。

ウェルトレンドのマーケティング担当副社長のウェイン・ローは、「昨年、当社が初めてGaN SiPを発売したとき、それは当社の進化における重要なマイルストーンでした。これは、AC-DC電力市場向けの新しいGTM戦略を実証しました、本日のニュースは、当社がより幅広い製品の電力レベルをサポートするように設計された、より幅広いデバイスの選択肢で当分野にサービスを提供し�けていることを裏付けています。トランスフォームのSuperGaNプラットフォームを用いたトータルパッケージソリューションは、30 Wと�費電力の小さなUSB-C PD電源アダプタから、トランスフォームならではのGaNである約200 Wの充電器に至るまで、デバイスに比類のないパフォーマンスを提供しつつ、設計の簡素化を実現しています」と述べています。

最終製品メーカーは、部品点数（BOM）を削減し、多用途性、高速充電、高出力を実現する新型アダプターの開発方法を模索しています。さらに、多くの場合、複数のポートや種類の接�部を備えた、いわば「フリーサイズ」の充電器を提供しようとしています。これらはすべて、小型軽量のフォームファクターで実現する必要があります。

トランスフォームのノーマリーオフdモードSuperGaNプラットフォームの主なメリットには、クラス最高の堅牢性（+/- 20 Vのゲートマージンと4 Vのノイズ耐性）および信頼性（< 0.05 FIT）、そしてシリコンを50％上回る電力密度向上機能が含まれます。ウェルトレンドの洗練されたなSiP設計は、これらのメリットと独自の革新的テクノロジーを活用し、フォームファクターサイズを削減しながら設計を高速化する、ほぼプラグ・アンド・プレイのソリューションを生み出します。

トランスフォームのワールドワイドセールスおよび FAE 担当副社長であるトゥシャー・ダイグーデは、「アダプターと充電器のメーカーのニーズを考慮すると、SiPは重要なデバイスオプションです。これらのシステムには、統合された機能で使いやすい効果的な電力変換が必要ですが、当社は、学習曲線を最小限に抑えつつ迅速な設計を実現します。初めてリリースされたデバイスは、SuperGaN SiPの性能と多用途性を検証しました。本日発表された新型デバイスは、顧客に選択肢を提供するという両社の取り組みを裏付けています」と述べています。

主な仕様

WT7162RHUG24A

WT7162RHUG24B (新製品)

WT7162RHUG24C (新製品)

Rds(on)

240 mΩ

150 mΩ

480 mΩ

Vds min

650 V

出力効率

> 93%

出力密度

26 w/in 3

最大周波数

180 kHz

ワイドオペレーション電圧オペレーション

USB-C PD 3.0 PPS 3.3V~21V

パッケージ

24ピン 8x8 QFN

主な特徴

特徴

利点

調整可能なGaN FETゲートスルーレート�御

効率とEMI準拠のバランス

外部VDDリニアレギュレータ回路は不要（700 Vの�HV起動電流はAC電源電圧から直接提供されます）

部品点数の削減

パッケージインダクタンスの低減

チップのパフォーマンスを最大化

標準の8x8 QFN FFに適合

薄型/小型のシステム設置場所を実現

対象アプリケーションと提供開始磁気

ウェルトレンドのSuperGaN SiPファミリは、スマートフォン、タブレット、ラップトップ、ヘッドフォン、ドローン、スピーカー、カメラなどのモバイル/IoTデバイス用の高性能かつ薄型USB-C電源アダプタでの使用に最適化されています。

追加デバイスの仕様については、以下のデータシートに詳しく説明されています。

WT7162RHUG24A（240 mΩ）: http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/610
WT7162RHUG24B（150 mΩ）: http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/633
WT7162RHUG24C（480 mΩ）: http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/634

2つの新型デバイス（WT7162RHUG24BおよびWT7162RHUG24C）は、現在サンプルを提供中です。詳細は、sales@weltrend.com.twまでお問い合わせください。

トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダーであるトランスフォーム社は、高性能かつ信頼性の高い、高圧電力変換アプリケーション用のGaN系半導体を設計・製造しています。1000を�える所有特許またはライセンス特許を含む最大規模のパワーGaNのIPポートフォリオの1つを有する同社は、業界初の JEDECおよびAEC-Q101認定の高電圧GaN系半導体デバイスを製造しています。また、垂直統合型デバイスビジネスモデルにより、設計、製造、デバイス、アプリケーションサポートなど、あらゆる開発段階でのイノベーションを可能にしています。同社の革新により、パワーエレクトロニクスがシリコンの限界を�え、99%以上の効率、50%高い出力密度、20%のシステムコスト削減を実現します。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、ゴリータと日本の会津に製造拠点を置いています。詳細は、www.transphormusa.comでご覧いただくか、X（@transphormusa）およびWeChat（Transphorm_GaN）でフォローしてください。

ウェルトレンド・セミコンダクター社について

ウェルトレンド・セミコンダクター（TWSE: 2436）は、1989年に「台湾のシリコンバレー」である新竹サイエンスパークに設立され、混合半導体の計画、設計、テスト、アプリケーション開発、販売を専門とする大手ファブレス半導体企業です。電源、モーター�御、画像処理など、複数のアプリケーションにわたる信号/デジタルIC製品を提供しています。詳細は、www.weltrend.comをご覧ください。

SuperGaNマークは、Transphorm, Inc.の登録商標です。その他の商標はすべて、それぞれの所有者に帰属します。

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Press Contact: Heather Ailara +1.973.567.6040 heather.ailara@transphormusa.com

Transphorm (NASDAQ:TGAN)
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