La toute nouvelle technologie LDMOS de canal N complètement isolé développée par Toshiba présente à la fois une haute r...
2017年6月3日 - 1:34AM
ビジネスワイヤ(英語)
Toshiba (TOKYO:6502):
La toute nouvelle technologie LDMOS de canal
N complètement isolé développée par Toshiba présente à la fois une
haute résistance HBM et une haute tension de claquage lors d’une
polarisation négative avec des semi-conducteurs de puissance
analogique de la génération 0,13 micron
Toshiba (TOKYO:6502) a développé cette technologie LDMOS de
canal N complètement isolé qui permet de dépasser le dilemme entre
la tension de claquage lors d’une polarisation négative (breakdown
voltage to negative bias - BVnb) et la résistance HBM, qui est une
mesure de la résistance à la décharge électrostatique (Electronic
Discharge - ESD). Les détails de ce succès ont été annoncés le 1er
juin au Symposium international sur les composants semi-conducteurs
de puissance et les circuits intégrés 2017 (International Symposium
on Power Semiconductor Devices and ICs 2017 – ISPSD 2017), une
conférence internationale sur les semi-conducteurs de puissance,
parrainée par l’IEEE, qui s’est tenue au Japon.
Au cours de ces dernières années, les besoins en circuits
intégrés analogiques pour les véhicules automobiles, ainsi que les
besoins en circuits intégrés de puissance intégrants des Nch-LDMOS
complètement isolés et présentant un BVnb élevé n’ont cessé
d’augmenter, et plus encore pour les composants supportant un
voltage d’au moins 40 V. Jusqu’à aujourd’hui, on obtenait un
BVnb plus élevé en sacrifiant la résistance HBM, et concilier les
deux n’a été possible qu’en utilisant une puce plus grande qui
permettait d’isoler électriquement les substrats et l’intérieur de
la puce. Ces contraintes ont été un frein aux progrès à la fois en
termes de miniaturisation et de réduction des coûts. En outre, dans
la mesure où la résistance HBM est un paramètre difficile à estimer
avant d’avoir fabriqué le composant, il s’est avéré fortement
nécessaire de trouver un nouveau paramètre pour mesurer la
résistance HBM.
Afin de dépasser l’alternative résistance HBM versus BVnb, tout
en minimisant la taille de la puce, Toshiba a mis en place des
simulations TCAD 2D de nombreux paramètres et a découvert que la
concentration du flux électrique, qui correspond à la valeur de
crête du champ électrique sous la zone du drain (Electric field
Under the Drain region - EUD), dépend de la résistance HBM. En
conséquence, en utilisant l’EUD dans le but d’optimiser les
caractéristiques de la puce en ajustant les différents paramètres,
Toshiba est parvenu à améliorer la résistance HBM tout en
conservant une tension nominale allant de 25 à 96 V. Cela a
également permis d’obtenir une réduction de 46 % de la taille
de la puce pour les produits Nch-LDMOS complètement isolés de
80 V, avec un HBM satisfaisant de +/-4 kV, une mesure de
la résistance HBM.
Toshiba a mis en production des prototypes de composants
BiCD-0.13G3 fondés sur les procédés utilisant cette nouvelle
technologie et prévoit de lancer la production à grande échelle au
cours de l’année fiscale 2018. L’entreprise s’est engagée à
contribuer à la réalisation de véhicules automobiles plus légers et
plus efficaces et à améliorer leur performance en étendant la gamme
de produits intégrant des Nch-LDMOS complètement isolés.
*1 HBM (Human Body Model) : il s’agit d’un modèle pour
caractériser la sensibilité des composants électroniques à l’ESD,
sur la base de l’ESD du corps humain.
*2 Nch-LDMOS complètement isolé : Il s’agit d’un transistor
MOS avec diffusion latérale dont la structure permet de réduire le
champ électrique entre le drain et la grille en les isolant
complètement électriquement.
*3 EUD (Electrical field under Drain region - champ électrique
sous la zone du drain) : Force du champ électrique observé
sous la source du drain.
*4 Technologie des procédés BiCD-0.13G3 : Il s’agit d’une
des technologies des procédés des semi-conducteurs de puissance de
Toshiba. Les utilisateurs peuvent choisir le procédé qui convient à
leur application : BiCD-0.13G1/G2/G3, principalement pour les
véhicules automobiles ; CD-0.13G3, principalement pour les
systèmes de contrôle moteur ; et CD-0.13G1/G2, principalement
pour les circuits intégrés de gestion de puissance.
À propos de Toshiba
Toshiba Corporation, une entreprise du classement Fortune
Global 500, canalise ses compétences de classe mondiale en
produits et systèmes électroniques et électriques de pointe, et se
concentre sur trois domaines d’activités : L'Énergie qui
soutient une vie de tous les jours plus propre et plus sûre ;
l'Infrastructure qui permet de maintenir la qualité de vie et
le Stockage qui soutient une société d'information avancée. Guidée
par les principes d'engagement élémentaire du groupe Toshiba,
« Committed to People, Committed to the Future »
(« Engagé pour les autres, engagé pour l'avenir »),
Toshiba promeut des opérations mondiales et contribue à la
réalisation d'un monde dans lequel les générations futures vivront
mieux.
Fondée à Tokyo en 1875, Toshiba se situe aujourd’hui au
cœur d’un réseau mondial de 550 entreprises consolidées,
employant plus de 188 000 personnes à travers le monde,
avec des ventes annuelles dépassant
les 5,6 billions JPY (50 milliards USD).
(au 31 mars 2016)
Pour en savoir plus sur Toshiba, consultez le site
www.toshiba.co.jp/index.htm
Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune
manière être considéré comme officiel. La seule version du
communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue
d’origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte
source, qui fera jurisprudence.
Consultez la
version source sur businesswire.com : http://www.businesswire.com/news/home/20170602005693/fr/
Toshiba CorporationStorage & Electronic Devices Solutions
CompanyKoichi Tanaka, +81-3-3457-3576Public Relations &
Investor Relations Group (Groupe Relations publiques &
relations avec les investisseurs)Business Planning Division
(Division Business Planning)semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp